根據高盛集團（Goldman Sachs）最新發布的產業報告，中國在先進半導體製程上的國產化進程，正以遠超市場預期的速度奔馳。這份報告拋出了一個驚人數字：中國7奈米及以下先進製程晶圓的自給率，將從2025年的8%飆升至2035年的66%。這不僅是數字上的跳躍，更意味著全球半導體權力版圖正在裂變。
供需缺口急速收窄的數字密碼
高盛的數據模型顯示，中國先進製程晶圓的供應短缺率將從2025年的92%急劇降至2035年的34%。同一時間軸上，中國對這類高階晶片的月需求量將達到61.9萬片，而本土供應量則有望拉升到41萬片。這組數字的背後藏著一個關鍵訊號：本土供應量的年均複合成長率高達46%，遠遠甩開需求端17%的成長速度。換句話說，供給正在以三倍於需求的速度追趕，這個節奏若持續，中國在半導體先進製程上的「缺氧狀態」將在十年內大幅緩解。
從產業面來看，這份報告其實揭露了一個更深層的現實：中國不是「想要」提高自給率，而是「必須」這麼做。在美國出口管制步步進逼的結構下，中國半導體產業沒有撤退的選項。但話說回來，數字是規劃，執行是現實。46%的供給年增率背後，設備、良率、人才三個瓶頸能否同步鬆綁，才是真正的考驗。
中芯國際扛下重擔，良率曲線是最大變數
這波產能擴張的核心引擎，毫無疑問是中國最大晶圓代工廠中芯國際（SMIC）。高盛假設，中芯在2026年至2031年間，每年將新增月產能3萬至5萬片；2032年至2035年間，每年再追加2萬片。這條產能擴張路徑若實現，中芯將成為全球成熟製程與先進製程交錯帶上最受矚目的玩家。
不過，真正決定這場競賽輸贏的關鍵，不是產能數字，而是良率。據高盛預估，中芯先進製程的晶圓良率將從2026年的23%逐步爬升至2030年的50%，並在2035年進一步達到75%。對照台積電在7奈米製程超過90%的良率水準，中芯就算在十年後達到75%，依然存在肉眼可見的差距。值得玩味的是，中芯曾在2023年突破美國先進設備的出口管制，成功為華為量產7奈米級晶片——這件事本身就證明，中國在設備受限下的工程調校能力，不容小覷。
設備自主化的天花板：DUV靠ASML，EUV卡關
在晶圓製造設備市場，中國本土設備商的營收佔比預計將從2026年的31%提升至2028年的38%。這個數字看起來有進展，但拆開來看，裡頭藏著一個巨大的結構性痛點：曝光機。目前，中國在深紫外線（DUV）曝光機上仍高度依賴荷蘭艾司摩爾（ASML），而用於更微細製程的極紫外線（EUV）曝光機，則因美國出口管制而難以取得。沒有EUV，就等於在7奈米以下的微影製程上被掐住咽喉。高盛報告中明確點出，這類設備限制將成為中國縮短與國際先進製程良率和技術差距的最大阻礙。
換個角度想，中國設備自給率從31%往38%移動，雖然只有7個百分點，但在半導體設備這種寡占市場裡，每一分都是硬骨頭。有趣的是，中國在蝕刻、沉積、清洗等環節的國產設備已經逐步站穩腳步，偏偏最關鍵的曝光機像是一道無法繞過的牆。這道牆如果不拆，75%的良率目標就只能停留在紙上。
記憶體戰場：長鑫儲存的產能躍進與技術落後
在DRAM領域，中國最大業者長鑫儲存（CXMT）的擴張步伐同樣驚人。根據高盛預估，長鑫儲存的月產能將從2026年的約27萬片晶圓，擴大到2028年的44.7萬片，並於2030年進一步達到66.5萬片。該廠商預估將在2028年滿足中國約50%的DRAM需求，以及40%的高頻寬記憶體（HBM）需求。
目前，長鑫儲存在合肥設有兩座、北京設有一座12吋DRAM晶圓廠，每座月產能約10萬片。若上海、合肥及北京的新建生產設施全面投入運作，總產能將比目前攀升一倍以上。但高盛也直言，長鑫儲存與三星電子、SK海力士的技術差距在短期內仍將持續，尤其在EUV設備引進限制下，先進DRAM與HBM技術的落後局面難以快速扭轉。這也是為什麼高盛評估，三星與SK海力士在中國市場的業務空間依然穩固——中國在先進記憶體上，短期內還是得靠進口。
資本支出大爆衝：820億美元的背後盤算
高盛在報告中將中國半導體產業2030年的資本支出預測，一口氣調高至820億美元，比一年前的預測值大幅上修了79%。這個調升幅度，說明了兩件事：第一，生成式AI帶來的先進晶片需求比預期更強勁；第二，中國在「國產替代」這條路上已經沒有回頭路。值得注意的是，中國半導體的生產自給率雖然已從2010年1月的38%上升到2026年6月的約70%，但若以「金額」為基礎計算，自給率依然偏低——這意味著中國在成熟製程與通用半導體上雖然產量驚人，但在高單價、高附加價值的先進晶片上，依然高度依賴海外。數字會說話，但說的是兩種不同的故事。
對一般人來說，這份報告可能感覺很遙遠，但其實它跟每個人的生活都綁在一起。AI伺服器、高階手機、自駕車晶片，這些都需要先進製程。中國自給率往上走，代表全球半導體供應鏈的成本結構和地緣風險都會重新洗牌。台灣在半導體產業的戰略地位，不會因為這份報告就動搖，但絕對值得我們重新思考——當客戶也開始自己練兵的時候，我們的核心競爭力還能領先幾個世代？
數據背後的啟示
高盛這份報告，與其說是一份預測，不如說是一張十年後的世界半導體地圖草稿。8%到66%的自給率躍升，是一個充滿企圖心的目標，但這個目標能否實現，取決於三個現實條件：第一，中芯國際的良率能否如預期在2035年站上75%；第二，EUV曝光機的管制是否會出現任何鬆動或繞道技術；第三，中國在設備、材料、EDA軟體等生態系環節能否同步跟上。這三個條件只要有一個卡關，66%就只是紙上富貴。但反過來說，如果這三個條件都達成了，全球半導體產業將迎來一次前所未見的權力重分配——不是取代，而是重新定義誰站在供應鏈的哪個位置。
身為台灣的半導體從業者或投資人，這份報告不該被當成「中國威脅論」的素材，而應該被當成一面鏡子。鏡子裡映出的，是我們在技術領先上的優勢，也是我們在生態系完整度上的驕傲；但同時，它也映出一個追趕者正在用國家級資源加速縮短差距的事實。這個事實，值得我們每年回頭對照一次，看看數字跟現實之間，還有多少距離。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
中國先進半導體自給率從8%提升到66%的可能性有多高？
根據高盛報告的預測模型，這個目標建立在產能擴張與良率提升的雙重假設上，但EUV設備管制是最大變數，能否實現還需要觀察設備自主化的突破進度。
中芯國際的良率跟台積電差距有多大？
高盛預估中芯2026年良率約23%，2035年目標75%；對照台積電7奈米良率已超過90%，雙方在良率與技術成熟度上仍存在至少一個世代的差距。
長鑫儲存的DRAM產能擴張會影響全球記憶體市場嗎？
長鑫儲存月產能預計從27萬片擴大到66.5萬片，但技術上仍落後三星與SK海力士，短期內對高階DRAM與HBM市場的競爭格局影響有限。
為什麼EUV曝光機對中國半導體自主化這麼關鍵？
EUV是生產7奈米以下先進晶片的核心設備，目前由荷蘭ASML獨家供應，但因美國出口管制而無法引進，成為中國縮短技術差距的最大瓶頸。
中國半導體資本支出大幅調升代表什麼訊號？
高盛將2030年資本支出預測上修至820億美元，調幅達79%，顯示中國在國產化與AI需求推動下，正以國家級資源加速先進製程布局。
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