關鍵數字：摩根士丹利（大摩）最新報告指出，傳統NAND市場正醞釀一場驚人的價格飆升，預計從2026年第一季到第四季，MLC NAND及傳統TLC的價格有望飆漲超過200%。與此同時，MLC NAND在2026年下半年恐面臨高達40%的嚴重供不應求，這與DDR4市場供給擴張、需求反噬的窘境形成鮮明對比，點名旺宏為此波記憶體產業新贏家中的首選標的。
📊 數據總覽
綜觀記憶體市場，摩根士丹利維持對主流記憶體的樂觀看法，儘管DDR4市場出現高達752%的合約價年增率，但這波調整僅針對傳統記憶體市場，而非主流DRAM。大摩分析師指出，隨著AI運算瓶頸逐漸轉向多層記憶體系統，主流DRAM可望持續受惠。特別是「代理型AI」（Agentic AI）的工作執行需要更密集的數據處理，這會進一步收緊主流DRAM的供應。只要AI支出維持在高檔，記憶體仍是限制AI發展的關鍵因素之一，主流記憶體強勢的格局預計將保持不變。
有趣的是，摩根士丹利預期DDR4市場將面臨反轉，主要由於供應商擴產與需求端對高價的抗拒，預計其年增率將在2026年下半年放緩。相對地，傳統NAND市場因供應短缺及工業需求穩健，預計MLC NAND及TLC價格將從2026年第一季到第四季飆升超過200%，大摩更將旺宏列為此波NAND商機的首選標的。
DDR4 市場警訊：供需失衡價格反噬
針對DDR4市場，大摩提出的降評解釋主要來自供需兩端，其中DDR4 8Gb合約價截至2026年2月已年增高達752%，卻反而引發需求反噬效應。在供給方面，近期DDR4價格飆升，已吸引包括華邦電、南亞科、三星與長鑫存儲等主要供應商，計劃在2026至2027年間大幅拉升產能或延後產品停產時間。不過，DDR4市場規模相對較小，主流DRAM所面臨的缺貨瓶頸在此並不適用。
在需求端，過高的價格已開始反噬智慧型手機與PC等消費性終端市場，甚至連較小型的客戶都已開始抗拒漲價。更重要的是，DDR4缺乏與AI的直接關聯，使其無法受惠於AI應用所帶動的記憶體消耗潮。大摩預期，儘管DDR4合約價在短期內仍可能上漲，但其年增率預計將在2026年下半年開始放緩，這被視為市場轉趨保守的關鍵訊號。
傳統NAND逆勢崛起：結構性短缺與工業需求支撐
相較於DDR4的挑戰，傳統NAND市場則展現截然不同的結構性利多，大摩預測，MLC NAND及傳統TLC的價格將在2026年第一季到第四季飆升超過200%，主要原因在於供應鏈的劇烈變化。由於全球主要供應商持續減產，大摩預估MLC NAND在2026年下半年將面臨嚴重的缺貨，供不應求幅度可能高達約40%。
話說回來，傳統NAND市場的需求面也相對穩健。受惠於工業與企業應用對價格的敏感度較低，即使價格上漲，其需求依然強勁。這種供需失衡的局面，讓傳統NAND在記憶體產業中脫穎而出，成為大摩眼中「新贏家」的潛力股。
個股策略：旺宏領跑，台廠潛力股浮現
在記憶體產業板塊輪動的趨勢下，大摩將旺宏列為首選標的，看好其能精準掌握MLC NAND市場供不應求所帶來的龐大商機。其實，這不僅是旺宏的機會，其他台灣廠商也有望在此波變革中受惠。
- 南亞科：有望受惠於主要記憶體大廠退出DDR4市場所帶來的供應端上升週期，儘管DDR4整體市場面臨挑戰，但市場份額的重分配仍能帶來機會。
- 力積電：則有望受惠於與美光的合作，以及在先進DRAM生產機會方面的長期利多，這將為其帶來穩定的成長動能。
數據告訴我們什麼？
總體而言，摩根士丹利的分析揭示了記憶體市場在AI浪潮下的複雜分化。雖然主流DRAM因AI需求持續看好，但傳統DDR4市場卻面臨供需失衡的挑戰，預計其年增率將在2026年下半年放緩。反觀傳統NAND，特別是MLC NAND，則因供應商減產與工業需求穩健，預期將迎來顯著的價格飆升與供應短缺。這份報告不僅為投資人指引了方向，更提醒我們在評估記憶體產業時，需細緻區分不同產品線的獨特動能，才能精準掌握市場脈動。
