半導體產業的軍備競賽，正從先進製程邏輯晶片，悄悄蔓延至被視為「資料倉庫」的NAND快閃記憶體領域。三星電子與SK海力士這兩大韓國記憶體巨頭，近期不約而同地啟動了對中國境內NAND生產基地的加碼投資，時間點精準鎖定2026下半年至2027年。這不只是單純的產能擴充，更是對AI時代資料吞吐量即將爆發的關鍵提前卡位。
三星西安廠的關鍵轉型：280層堆疊的V9 NAND正式上膛
三星電子自2026年上半年起，便著手針對其位於中國西安的X2產線，進行第9代V9 NAND快閃記憶體的轉型投資。這款產品採用高達280層的堆疊技術，是當前量產中最先進的NAND之一。根據業界消息，這波轉型將為西安廠注入每月4萬至5萬片晶圓的產能活水。換句話說，到2027年，西安廠將不只是三星海外最大的記憶體生產基地，更將成為其V9 NAND輸出的關鍵重鎮。
但三星顯然不滿足於「只把設備裝上去」。近期業界確認，三星已拍板追加補強投資，核心重點擺在導入NAND製造中最關鍵、也最昂貴的蝕刻（Etching）製程設備。為什麼蝕刻如此重要？因為當儲存單元向上堆疊數百層時，必須在晶圓上打出極深的通道孔（Channel Hole），讓電子能順利移動。這就像要在摩天大樓中精準貫穿一條垂直電梯通道，難度隨著樓層增高而呈指數級上升。三星預計在明年下半年啟動這項補強計畫，相關設備採購訂單將於2027年底前明朗。
SK海力士大連廠甦醒：擱置多年的設備投資重新開機
另一頭的SK海力士，動作同樣值得關注。自2026年第三季起，SK海力士已對其中國大連二廠展開NAND產品世代的提升投資。這座晶圓廠是SK海力士在2020年下半年收購英特爾（Intel）NAND業務時承接而來的資產，2022年雖曾舉辦動土儀式，但後續因市場景氣急轉直下，設備裝機投資一度擱置。
如今，隨著AI需求拉動儲存市場回暖，這項計畫正式重啟。業界知情人士指出，SK海力士目標在2027年上半年之前，完成大連二廠每月3萬片規模的NAND設備裝機。核心製造設備，包括蝕刻機台在內，預計從下個月起陸續進廠安裝。這意味著，過去被視為「燙手山芋」的英特爾遺產，即將翻身成為SK海力士搶攻先進NAND市場的重要棋子。
編輯觀點：從產能競賽看台灣供應鏈的隱憂與機會
過去幾年，市場普遍認為中國NAND本土廠商（如長江儲存）才是主要威脅。但從三星、SK海力士這波動作來看，真正的產能擴張主力，其實是這兩家韓國巨頭在中國的既有廠區。到2027年，三星與SK海力士在中國的NAND月產能將至少增加7至8萬片，且全是280層等級的先進產品。這對台灣記憶體封測、設備零組件供應鏈而言，是訂單機會，但也意味著產能過剩的風險將在2027年後重新浮現。當三星、SK海力士、鎧俠、美光都手握大量先進NAND產能時，供需平衡將是下一個產業難題。
韓國雙雄同步擴產的背後：AI儲存需求不再是未來式
兩家業者對中國廠區的投資節奏高度重疊，並非偶然。三星與SK海力士共同看到的，是AI伺服器對高速、高密度、低延遲儲存需求的急速升溫。傳統NAND已無法滿足AI訓練與推論過程中產生的巨量資料吞吐，這使得高層數、高I/O速度的NAND成為資料中心建置的標配。
根據業界共識，2026下半年至2027年將是AI伺服器出貨量的高速成長期。三星選擇在西安廠直接導入V9 NAND，SK海力士則在大連廠拉高世代，目的都是為了讓產品能在客戶需求爆發時「無縫接軌」。
- 三星西安廠：2026上半年啟動V9轉型，目標月產4-5萬片，2027年追加蝕刻設備補強投資。
- SK海力士大連二廠：2026第三季重啟投資，目標2027上半年月產3萬片，設備自2026年底陸續進廠。
- 關鍵製程瓶頸：蝕刻技術成為高層數NAND量產的決定性因素，設備投資金額與難度同步墊高。
- 市場驅動力：AI伺服器儲存需求是這波擴產的最大公約數，非消費性電子應用。
展望與影響：2027年，NAND市場將迎來新局
若三星與SK海力士的投資計畫如期完成，2027年中國境內將新增至少每月7至8萬片（約當12吋晶圓）的先進NAND產能。這不僅將改變兩家業者自身的產品組合與毛利率結構，也將對全球NAND供需格局產生深遠影響。
值得觀察的是，美國對中國半導體設備出口管制是否會對這些投資產生干擾？目前三星與SK海力士在中國的產線多數已取得豁免或透過「許可證」機制運作，但未來政治變數仍不可忽視。此外，這波投資也將帶動相關設備、材料、化學品等供應鏈訂單，台灣廠商能否在蝕刻、檢測、封裝等環節分到一杯羹，將是未來兩年產業關注焦點。
對一般讀者來說，這些「晶圓」、「蝕刻」、「堆疊」或許遙遠，但當你未來購買的手機、筆電、AI PC擁有更高容量且更便宜的儲存空間時，別忘了——背後正是三星與SK海力士在2026到2027年間，於中國廠區投入的這數十億美元設備所鋪出的路。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
三星與SK海力士在中國擴充NAND產能，是否會受到美國晶片管制影響？
目前兩家業者均為韓國公司，其在中國既有廠區的設備與技術升級多已取得美國商務部核發的豁免或許可，短期內營運不受直接影響，但長期政治風險仍須觀察。
這波產能擴充會讓NAND快閃記憶體價格下跌嗎？
2027年產能陸續開出後，若市場需求成長幅度不及供給增加速度，確實可能對NAND價格形成壓力，但AI伺服器需求將是支撐高階產品價格的關鍵變數。
三星V9 NAND的280層堆疊技術，與競爭對手相比有優勢嗎？
目前美光、鎧俠、長江儲存等業者均已量產2XX層以上的NAND產品，三星的優勢在於量產良率與蝕刻製程的成熟度，並非單純在層數上領先。
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