DRAM 價格第三季漲逾三成,NAND 進入高原整理期

關鍵數字:DRAM 第三季價格預期漲幅超過三成,而 NAND Flash 價格則進入高原整理期。

DRAM 漲勢持續,第三季漲逾三成

根據業界分析,DRAM 在下半年的漲勢依然強勁,特別是 DDR4 型號。第三季 DRAM 合約價預期將季增 13% 至 18%,但 DDR4 的供需仍然緊張,漲幅可能超過三成。業界人士指出,企業與工控市場對 DDR4 的需求依然旺盛,且中低階 PC 和成本敏感的應用仍偏好 DDR4,使其生命周期比預期更長。

NAND Flash 價格趨平,漲幅有限

與 DRAM 相比,NAND Flash 的價格漲幅已逐步放緩。第三季 NAND Flash 的預期漲幅約一成多,第四季甚至可能進一步放緩。雖然 AI 伺服器、企業級儲存及邊緣 AI 等新應用持續推升需求,但供給彈性較高,使得價格趨於平穩。

供應鏈因素影響價格走勢

DRAM 與 NAND Flash 的價格差異主要源自供應鏈的結構性問題。高階產品如 HBM、DDR5 及 LPDDR5X 的需求增加,壓縮了成熟 DRAM 的產能,使 DDR4 供給缺口短期難以補足。相比之下,NAND Flash 雖然受益於 AI 新需求,但供給彈性較高,價格走勢更為平穩。

從產業面來看,DRAM 的供給缺口短期內難以彌補,這將持續支撐其價格走勢。對投資者而言,關注 DRAM 相關業者的股價表現,可能是更明智的選擇。然而,NAND Flash 的價格趨平,意味著其投資吸引力可能降低。建議投資者在做出決策前,仔細評估市場動態。

數據告訴我們什麼?

數據顯示,DRAM 價格的持續上漲主要由供應短缺驅動,而 NAND Flash 的價格趨平則反映了供給彈性的存在。對相關業者如南亞科、華邦電、旺宏、群聯,以及威剛、創見、宇瞻、十銓、宜鼎等,DRAM 的強勢表現將帶來更多的利潤空間,而 NAND Flash 則需面對價格競爭的挑戰。

如果你對記憶體市場的未來趨勢感興趣,不妨深入研究各公司的財報和市場報告,了解他們如何應對供應鏈的變化。這將幫助你在投資決策中佔據優勢。

本文改寫整理自公開新聞來源,原始報導由科技新報發布。

常見問題 FAQ

DRAM 第三季漲幅預期是多少?

DRAM 第三季漲幅預期約為 13% 至 18%,但 DDR4 型號的漲幅可能超過三成。

NAND Flash 第三季漲幅預期是多少?

NAND Flash 第三季漲幅預期約為一成多,第四季可能進一步放緩。

為什麼 DRAM 價格漲幅高於 NAND Flash?

DRAM 價格漲幅高於 NAND Flash 主要因為供給缺口難以彌補,而 NAND Flash 供給彈性較高,價格趨於平穩。

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