關鍵數字:根據摩根士丹利(Morgan Stanley)的最新報告,第三季 DDR4 記憶體價格預期每月漲幅高達 20% 以上,季增率至少達到 30%。
📈 數據總覽
儘管近期市場對於記憶體週期、雲端服務供應商自由現金流以及中國市場記憶體拋售潮感到擔憂,摩根士丹利的最新報告卻揭示了一個令人驚訝的現象。報告指出,DDR4 與傳統快閃記憶體在第三季的價格漲勢不僅未歇,反而展現出前所未有的定價能力。
根據 TrendForce 的預估,常規 DRAM 混合價格季增率約落在 13-18%,NAND 價格則預估季增 10-15%。
數據解讀 1:雲端服務供應商的影響
雲端服務供應商(CSP)展現出為 DDR4 支付更高價格的意願,甚至試圖與供應商簽署為期一到兩年的保障數量長約(LTA)。受此帶動,摩根士丹利預估 DDR4 價格在第三季有望達成每月 20% 以上的漲幅,這意味著第三季整季的價格季增率將「至少達到 30%」。
數據解讀 2:其他記憶體類型的表現
除了 DRAM,傳統 NAND 與 NOR Flash 的表現同樣亮眼。摩根士丹利預期,第三季 SLC/MLC NAND 的價格將大幅季增 50-60%,而 NOR Flash 的價格也將迎接 30-40% 的季增長。
趨勢預測
近期中國記憶體大廠兆易創新(GigaDevice)曾發布公告警告,利基型記憶體產品未來可能面臨大幅價格下滑。對此,摩根士丹利分析師解讀,這較可能屬於「長期趨勢」的預警,而非短期內會發生的現象。報告強調,目前在 DDR4、SLC/MLC NAND 以及 NOR Flash 領域,依然存在著結構性的供應缺口,這些缺口將持續支撐記憶體價格強勁上揚。
從產業面來看,雖然市場短期內對記憶體產業有所擔憂,但结构性的供應缺口和雲端服務供應商的需求增長,將成為記憶體價格上揚的主要動力。投資者應關注這些長期趨勢,而不是被短期波動所迷惑。
數據告訴我們什麼?
在投資價值方面,摩根士丹利認為相關公司的 2028 年預估每股淨值(BVPS)已提供良好的下檔支撐。以中國 IC 設計廠兆易創新為例,其股價自 6 月 29 日的高峰美股人民幣 840 元,大幅修正了 45.6%,已浮現估值支撐。此外,台灣記憶體製造廠(IDM)如旺宏、南亞科與華邦電,目前股價約落在 2028 年預估每股淨值的 1.5 倍、1.2 倍與 1.2 倍。
摩根士丹利指出,回顧歷史經驗,大中華區 IDM 廠的股價淨值比在 1.0 倍左右時,通常具有極強的下檔防禦力道。總結來說,成熟記憶體雖面臨市場短期雜音,但在合約需求與缺口支撐下,基本面與價格走勢依然強勁。
行動呼籲
面對記憶體市場的波動,投資者應保持冷靜,關注長期趨勢而非短期雜音。如果你對記憶體產業的未來發展有興趣,不妨進一步研究相關公司的財報和行業報告,以做出更明智的投資決定。
本文改寫整理自公開新聞來源,原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
為什麼第三季記憶體價格預期會大幅上漲?
第三季記憶體價格預期大幅上漲主要原因是雲端服務供應商對 DDR4 的需求增加,以及市場上的供應缺口。
哪些記憶體類型表現特別出色?
DDR4、SLC/MLC NAND 和 NOR Flash 三種記憶體類型表現特別出色,預期第三季的價格增長率分別為 30%、50-60% 和 30-40%。
兆易創新的公告對市場有何影響?
兆易創新的公告主要是一種長期趨勢的預警,而非短期內會發生的現象。市場上的结构性供應缺口仍然支撐記憶體價格的強勁上揚。
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