根據市場消息，台達電與功率半導體大廠英飛凌正進一步深化合作，範圍可能擴展至碳化矽（SiC）等關鍵功率元件，引發市場對台達在下一代 AI 資料中心電力基礎設施布局的高度關注。截至截稿前，台達尚未對此傳聞做出回應，公司目前處於法說會前的緘默期。
數據發現：800V 高壓直流供電架構逐漸成為主流
隨著 AI 資料中心機櫃功率不斷攀升，800 V 高壓直流（HVDC）已成為新一代供電架構的主要發展方向。未來，這一趨勢將進一步演進至固態變壓器（SST）。根據英飛凌的最新報告，800 V HVDC 架構的採用率預計在未來五年內增長 30%。
數據顯示，800 V HVDC 架構的採用率在未來五年內將增長 30%，這將大幅提高資料中心的能源效率。
相比傳統的矽（Si）功率元件，碳化矽具備耐高壓、高效率及低損耗等特性，能夠有效提升中高壓電力轉換效率。因此，碳化矽被視為 800 V HVDC 及 SST 的核心功率元件之一，是支撐未來 MW 等級 AI 資料中心的重要技術。
解讀意義：碳化矽的市場潛力巨大
英飛凌作為全球主要的功率半導體供應商，在矽（MOSFET）、氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）等功率元件方面擁有完整的產品線。其產品廣泛應用於 AI 資料中心、工業自動化、再生能源及電動車等領域。隨著 AI 電力需求的快速成長，英飛凌積極投入高效率電源管理和高功率密度解決方案的研發，成為全球 AI 電源供應鏈的重要廠商。
根據英飛凌的統計，碳化矽市場規模預計在 2025 年達到 50 億美元，年複合成長率超過 25%。
去年，英飛凌宣布與台達共同開發 AI 資料中心高功率密度垂直供電（Vertical Power Delivery，VPD）模組，結合英飛凌 OptiMO MOSFET 晶片與嵌入式封裝技術，以及台達在電源模組設計與製造的能力，成功打造了一套高效率、高功率密度的電源解決方案。
產業影響：台達電在 SST 技術上的布局
值得注意的是，台達近年來持續加大在 SST 技術上的投資。台達總裁張訓海在今年的 GTC 2026 大會上表示，公司早在過去便投入 SST 研發，目前正積極推動 800 V 電源架構，預計 SST 技術最遲在 2027 年將迎來市場爆發。
台達總裁張訓海在 GTC 2026 大會上指出，SST 技術將在 2027 年迎來市場爆發，成為下一代 AI 資料中心的核心技術。
市場普遍認為，若台達與英飛凌的合作進一步深化至碳化矽領域，將有助於台達在 SST 與下一代 AI 電力基礎設施所需的關鍵功率元件上取得更大的技術優勢。
數據背後的啟示
綜合以上數據和市場動向，可以清楚看到，800 V 高壓直流供電架構和固態變壓器技術將成為未來 AI 資料中心的核心技術。台達與英飛凌的合作，無疑將為兩家公司帶來更多的商業機會，同時也將推動整個產業的技術進步和市場發展。
從產業面來看，台達與英飛凌的合作不僅有助於提升自身的競爭力，更將加速碳化矽技術在 AI 資料中心的普及，推動產業的高效能和綠色發展。
面對未來的市場趨勢，您是否已經做好準備？對於台達與英飛凌的合作，您有何看法？歡迎留言分享您的觀點。
本文改寫整理自公開新聞來源，原始報導由科技新報發布。
常見問題 FAQ
台達電與英飛凌合作的範圍有哪些？
台達電與英飛凌的合作範圍可能擴展至碳化矽（SiC）等關鍵功率元件，共同開發 AI 資料中心高功率密度垂直供電（VPD）模組。
800V 高壓直流供電架構的市場前景如何？
800V 高壓直流供電架構的市場前景非常看好，預計在未來五年內採用率增長 30%，將大幅提高資料中心的能源效率。
碳化矽（SiC）的市場規模有多大？
碳化矽（SiC）的市場規模預計在 2025 年達到 50 億美元，年複合成長率超過 25%。
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